•个性化:光耦接收芯片和热电堆芯片的设计和制造有别于其它标准的芯片设计和制造,其没有标准的成熟工艺,晶圆代工厂没有标准的IP可以提供,完全依赖***工程师多年的工艺积淀,使得**终的产品参数符合设计要求;•比肩国际:群芯微的产品参数已经达到国外博通和东芝的芯片参数,性能上达到国际前列水平。•群芯用集成电路封装测试的理念,使用***型号设备,通过对每个工艺节点、每颗芯片的加工过程进行监控,实现出厂的成品达到无缺陷的目标;•公司采用多芯片封装的先进封装技术,把传感器芯片整合到一个封装体中,实现SIP封装,**降低了成本,提高了可靠性,从而扩大了产品应用范围。光电耦合器应用于数字电路,可以将脉冲信号进行放大。北京TRIAC光耦群芯微代理资料
在医疗领域上,有着各种各样的检查设备,在检查过程中,为保证人体安全和消除干扰,电路常常采用浮地形式。这个接地方式是利用隔离技术来实现人体与电器上的隔离,从而抑制通过地线的漏电流,因此,具有抗扰能力强、输入输出绝缘、体积小等优点的光电耦合器是实现隔离的理想器件,并被广泛应用于医疗设备中。光耦能够隔离电路、抑制电噪声和瞬态干扰、消除接地回路。监测仪、心电图仪器、核磁共振等医疗设备都会用到光耦:高速光耦——电源和电机控制电路、数据通信、数字逻辑接口电路;隔离运算放大器——提供电隔离信号缓冲和放大;(智能)栅极驱动光耦——驱动IGBT和功率MOSFET器件,电机控制和功率转换。215、光耦产品的应用领域-医疗设备的应用常用光耦型号:1.高速光耦:QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x;2.隔离运算放大器:QX7840、QXC79X、QXC79B、QXC87AT、QXC87BT;3.智能栅极驱动光耦:QX33xJ、QX316J;北京TRIAC光耦群芯微代理资料光电耦合器已显示出一种超大容量和高速度方向发展的明显趋势。
互勤科技是一个专注电源解决方案高新企业,公司注重技术服务,凭借行业10年以上积累丰富经验、雄厚技术实力为客户提供优势的软硬件开发售后保障服务。主要产品包括:直流转换控制芯片、交流转换控制芯片、电源管理芯片、LED照明驱动芯片,电池管理系统芯片、马达驱动,微控制芯片、MOS功率器件、可控硅、光耦数字隔离芯片、运放等。产品广泛应用于:消费类电子、智能家居、商业照明、工业控制、光伏逆变、BMS(电池管理系统)、汽车电子等领域。我们始终秉持诚信的理念和互利共赢的合作方式,坚持高效的管理方式和严谨的工作态度,为客户提供比较好质周到的服务。
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国际的有关隔离击穿电压的标准;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器 线性光电耦合器应用于线性电路中,具有较高地线性度以及优良地电隔离性能。
光耦合器的主要优点是:信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强,工作稳定,无触点,使用寿命长,传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件,现已***用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的,实现信号接收转移。光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。江苏小封装光耦群芯微代理加工
光耦合器(opticalcoupler equipment,英文缩写为OCEP)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。北京TRIAC光耦群芯微代理资料
以下为光电耦合器的常用参数:反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR:被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 北京TRIAC光耦群芯微代理资料